Şarj sorununu kökünden çözecek buluş!

Samsung ve GlobalFoundries ile iki sene önce 7nm çip üretmeyi başaran bilişim devi gelecek hafta Japonya'da 5nm çipleri duyuracak.

Şarj sorununu kökünden çözecek buluş!
Şarj sorununu kökünden çözecek buluş!
GİRİŞ 05.06.2017 17:21 GÜNCELLEME 05.06.2017 17:21
Bu Habere 1 Yorum Yapılmış

Tüketici teknolojilerine ne zaman yansıyacağı muamma olmakla beraber telefonların batarya dayanıklılıkları artacağı ve boyutlarının küçülmesi de kesin.

Dünyanın en büyük bilişim şirketlerinden biri olan IBM, çığır açabilecek yeni bir teknolojik ilerleme haberi verdi.

İki sene önce ilk kez 7 nanometrelik (nm) çip üretmeyi başaran firma, 5 nm çiplerin üretmini kolaylaştıracak ilerlemeler kaydettiğini belirtti. 

IBM, iki sene önce olduğu gibi yine yarı iletkenlerde uzmanlaşmış Samsung ve GlobalFoundries ile işbirliği içinde çalıştı.

Her ne kadar, henüz 7 nm çipler dahi seri üretim ürünlerde kullanılmaya başlanmasa ve en erken 2018 başlarında karşımıza çıkacak olsa da, bu gelişme hayatımızı doğrudan etkileyecek.

Mobil pazarın yeni çip teknolojisinden en olumlu etkilenecek sektör olması bekleniyor zira 7nm çiplerde 20 milyar transistör bulunurken, 5nm boyutuna inen çiplerde bu sayı 30 milyara çıkıyor.  

AKILLI TELEFONLAR GÜÇLENECEK

Düşük güç tüketimine yol açan teknolojiyle birlikte, bu sayede telefonlardaki bataryalar küçülmekle kalmayacak daha dayanıklı olacak.

Tek şarj ile eskisine nazaran 2-3 kat uzun süre kullanım olağanı sunulacak. Benzer batarya teknolojisini kullanan her cihaz için bu geçerli.

Mobil dünyasının yanı sıra verinin yoğun olarak kullanıldığı internet bazlı uygulamalar, bilişsel programlama, yapay zeka ürünlerinin de IBM'in çalışmalarından olumlu etkilenmesi muhtemel.

DETAYLARI JAPONYA'DA AÇIKLANACAK

Çipteki teknolojik gelişme çekirdekteki yeniliğe dayanıyor. Eski teknolojideki FinFET olarak bilinen ve elektrik devresini taşımak için silikon bazlı yalıtkanın üzerine kat çıkma mantığıyla oluşturulan tasarım bundan böyle tarih olacak.

Yerine milyonlarcasının yığın halinde kullanılarak ana transistör yapısının oluşturulduğu, nanokatmanlı bir dizayn kullanıldığı belirtiliyor. Böylelikle performansı en üst düzeye çıkarmak için devrelerde ince ayarlar yapılabiliyor.

Her ne kadar FinFET tasarımlar da 5nm boyutuna indirgenebilse de mimarinin içerisindeki uzantıların mesafesini düşürmek nanokatmanlı teknolojiye göre daha verimsiz. 

IBM, bulduğu yeni teknolojinin detaylarını bu hafta Japonya'nın Kyoto şehrinde yapılması beklenen 2017 VLSI Teknoloji Sempozyumu'nda paylaşacak. Gelişmelerin tüketici teknolojilerine yansımasının ne kadar süreceği ise henüz bir sır. 

YORUMLAR 1
  • Vatandaş 7 yıl önce Şikayet Et
    Bataryaların %67-70 ini ekran harcıyor hacılar yanlış bilgilendirmeyin...
    Cevapla
DİĞER HABERLER
Sıcaklık çakılıyor! Kar yağışı da geliyor
Ümit Özdağ'dan tutuklanan CHP'li Ahmet Özer ile ilgili bomba açıklamalar!